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失效分析晶圓級(FA)


對于所有半導體制造商和設計公司而言,確定故障設備(例如現場退貨或新設計)的根本原因至關重要。

尤其復雜的故障分析(例如IC器件中的開路/浮動信號網絡故障)是通過通過網絡信號跟蹤進行電微探測測量來完成的。發生故障時,定位需要聚焦的離子束(FIB)沉積,即所謂的“迷你焊盤”(例如5 x 5 μm)。

通過典型的熱點和發射分析進行故障定位是另一種合適的缺陷識別方法。
基于亞微米探測或基于SEM,TEM,EDX,AFM工具的物理故障分析不是我們考慮的一部分。


主要要求:


  • 根據泄漏或簡單的開路/短路測量驗證電氣,功能故障

  • 通過使用高阻抗Picoprobes,在“迷你焊盤”上進行內部節點微探測

  • 導航到“迷你焊盤”(可能在成千上萬的復雜IC中)是一個挑戰

  • 探針卡可啟動IC,并且微探針必須同時通過多個單個探針完成

  • 這樣的探針卡通常是定制的,并且通過包含接近DUT的有源組件,通常很長(> 13英寸)

  • 通過典型的熱點和排放分析進行故障定位

  • 激光切割用于開放鈍化或切割金屬化層或線

  • 微動分析是晶圓級的另一組測量,特別與MEMS器件有關

  • 用于大功率設備故障分析的10 kV測試環境

  • 需要具有高光學分辨率的光學元件


特征與優勢

適用于FA應用的在片測試解決方案提供了在最短的時間內以最大的信心獲得準確測量結果所需的一切。高度穩定的Engineering Probe Systems  和高度精確的  為電氣故障驗證,本地化和調試提供了最佳解決方案。隔震的環境以及寬變焦和高放大倍率顯微鏡可探測小至1微米的結構。   MPTS3000探針系統獨特地同時使用探針卡和MicroPositioner(DUT驅動和內部信號測量),特別是在溫度低至60°C的負溫度下。  

壓板到卡盤的低距離使得Picoprobing非常方便。

獨特的MPI 專為準確而可靠的故障分析而設計,并且基于1064 nm,532 nm,355 nm或266 nm波長的可變配置提供了選擇性去除多種半導體材料和金屬的能力。  

我們的工程探針系統可輕松配置發射顯微鏡,例如Hamamatsu Photonics Japan的發射顯微鏡,以檢測和定位IC故障。此外,TS150 / TS200-HP探針系統是等效分析 高達10 kV和600 A的大功率設備的理想選擇  。  

 



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